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3nm,台积电的一道小坎

2023-10-01 11:10

2023年9月13日,苹果的秋季新品发布会上,与iphone 15 pro系列一同登场的,还有全球首款3nm芯片a17 pro,其依旧出自苹果的老朋友台积电之手。

在这款芯片发布前,大家都对它寄予了厚望,与4nm这样的小节点相比,3nm是继5nm后又一次重要的工艺迭代,回顾过往历史,每次工艺的大升级,都会带来芯片性能的又一次大幅度提升,而3nm本该也是如此。

但意外偏偏发生了,这颗本应强大的a17 pro芯片提升幅度并没有大家想象中那么大,反而iphone 15 pro的发热问题,让苹果变成了“火龙果”。

那么,发热发烫这个锅,是不是要让台积电来背呢?

神仙难救的散热

很快就有人为台积电撑腰了,天风国际分析师郭明錤今日发文,针对目前苹果 iphone 15 pro 手机过热问题进行了解读,并表示“与台积电 3nm 制程无关”。

郭明錤称,iphone 15 pro 系列的过热问题,与台积电的 3nm 制程无关,主要很可能是为了让重量更轻,因此对散热系统设计作出了妥协,像是散热面积较小、采用钛合金影响散热效果等。

当然,这话说得确实挑不出毛病,根据目前的拆解来看,iphone 15 pro依旧采用的双层主板,背部是rom芯片,面前的是基带芯片,都是发热量较大的几颗芯片,把它们放到一起,无异于让a17 pro待在篝火旁边,负载一大,火势就会变大,不仅处理器降频运行,用户也会很快就会感受到手机发热。

外加苹果在这次发布会上吹了很久的钛合金边框,实际上还变相加剧了iphone散热差的毛病,钛的导热系数λ=15.24w/(m.k),约为镍的1/4,铁的1/5,铝的1/14,而各种钛合金的导热系数比纯钛的导热系数还有再下降约50%,这也就是说iphone 15 pro虽然轻了,但是散热反而不如iphone 15的铝合金边框和iphone 14 pro的不锈钢边框。

但是郭明錤这番话也并不全面,根据国内极客湾的测试,iphone 15 pro和iphone 15 pro max的续航时间相较于上一代,反而出现了倒退,下降了几十分钟左右,在电池容量微增的基础上,续航时间反而缩短,除了处理器本身性能调度原因外,问题恐怕还是出在了a17 pro的本身的能效表现上了。

根据techinsights的芯片拆解,与a16相比,a17 pro 每颗性能核心和效率核心的面积减少了 20%,每个 gpu 核心的面积增加了 5%,整体 gpu 核心增加了 20%,且由于工艺制程的进步,a17 pro芯片的整体面积略有缩小,但晶体管数量来到了新高,为190亿,对比上代的160亿晶体管,增加了近20%,能够完成如此大的升级,台积电3nm工艺功不可没。

但根据苹果官方的公告,a17 pro的cpu整体性能只是比上一代提升了约10%,提升幅度达到20%的gpu又有很大程度上是因为5核变6核,只有npu提升幅度最大,算力从17tops升级到35tops,不难猜测它的实际规模变大了不少,外加新的usb 3控制器的加入,这些就是a17 pro的主要升级点了,并未完成很多人预期里的大幅度跨越。

当a17 pro褪去了神话光环之际,台积电的3nm也备受质疑。

finfet气数已尽

为什么在4nm还顺风顺水的台积电,唯独到了3nm时却翻了车呢?

在5nm时,无论是台积电还是三星,都采用了finfet(鳍式场效晶体管)的技术来控制流过晶体管的电流,这种技术能从「三面」来控制电子的通过(如下图),若电子没有被好好控制而乱跑,就会造成漏电,继而使手机的温度升高。

为选择更好的控制电流,两家半导体巨头都发展出从「四面」来控制电子通过的技术,称作gaa(gate-all-around),进一步防止漏电发生。但在3nm这一节点,台积电选择续使用finfet工艺,直到2纳米才转换成gaa,三星则抢先在3纳米时导入gaa,虽然目前还未大规模量产,但有望提供比finfet更好的功耗与密度。

2011年,英特尔首度在ivy bridge 微架构处理器上应用22nm finfet技术,2014年,台积电和三星首度在16/14nm工艺里导入finfet工艺,在随后的几年时间当中,finfet成为了众多晶圆厂热捧的技术,传统平面工艺无法满足先进制程的需求,摩尔定律再一次得到延续。

但没过几年,到了7nm制程以下,静态漏电的问题越来越大,原本制程演进的功耗和性能红利逐渐消失,finfet无法满足3nm及更先进制程的需求已成为了大家的共识,何时导入gaa就成为很多人关心的重点,英特尔和台积电选择在3nm上继续沿用finfet,而处于竞争劣势的三星下定决心,在3nm就引入gaa技术,力图争取到更多客户。

在2020年8月的台积电技术研讨会上,台积电表示,它已对其 finfet 技术进行了重大更新,n3即3nm会使用 finfet 的扩展和改进版本,性能增益高达 50%,功耗降低高达 30%,密度增益比 n5 提高 1.7 倍,不过这里需要注意的是,这部分对比仅仅是初代n3与n5的对比,在n5经过多轮迭代升级到最新的n4之后,实际提升并没有研讨会上公布的那么美妙。

回过头再来看gaa,台积电将其称为nanosheet fet,intel称其为ribbonfet,这些技术本质都是一样的,就是把finfet的fin转90°,然后把多个fin横向叠起来,这些fin都穿过gate——或者说被gate完全环抱,所以叫做gate all around;另外每个翻转过的fin都像是一片薄片(sheet),它们都是channel,因此也被称为nanosheet fet。

从结构上来看,gaafet电晶体的gate与channel的接触面积变大了,且每一面均有接触,也就能够实现相比finfet更好的开关控制。而且对于finfet而言,fin的宽度是个定值;但对gaafet而言,sheet本身的宽度与有效通道宽度是灵活可变的。更宽的sheet自然能够达成更高的驱动电流和性能,更窄的sheet则占用更小的面积。

台积电没在3nm用gaa的原因并不难理解,成本和技术。成本是新工厂新设施吃掉的资本投入,而技术呢,例如硅基通道中较低的空穴迁移率(hole mobility),导致pfet性能表现不佳。ibm在之前的iedm上表示,这一问题的解决方法在于pfet可应用压缩应力的锗化硅(sige)通道材料:「pfet锗化硅通道能够实现40%的迁移率提升,相较硅基通道有10%的性能优势,而且有更低的阈值电压(vt),负偏压温度不稳定性(nbti)表现也有提升。」

当然gaa的好处并不明显可能也是台积电的顾虑之一,三星此前谈到了3nm gaa制程,其比4nm finfet在频率和功耗方面的优势,如下图所示,但图中并没有提供绝对值和相对值,其只是笼统地说,3nm gaa与4nm finfet电晶体相比,在相同的有效通道宽度(weff,fin/sheet的宽度× fin/sheet的个数)下,3nm gaa能够达成更高的频率;与此同时达成更低的功耗。

种种原因让台积电打定主意,在2nm才会使用gaa,3nm成为了最后一代finfet,这也为a17 pro的翻车埋下了伏笔。

更要命的当然还是良率问题,根据 hi investment & securities 的数据,三星的 3 nm良率估计超过 60%,相比之下,台积电的 3 nm良率约为 55%,新技术的良率几乎与旧技术良率持平,让人不由想起了几个月前曝光的苹果与台积电之间的“甜心交易”:苹果向台积电下巨额 3nm 芯片订单,但是要求不合格芯片成本均由台积电自己承担,苹果只需要为良品芯片付费,有媒体表示,这样下来,苹果每年可节省数十亿美元。

如果良率足够高,苹果也没必要专程与台积电达成这项交易了,而台积电自2022年量产3nm至今,良率仍然没有到达苹果的底线,如今在能耗表现上也不理想,接下来能否说服更多客户接受这样一个价格再次上涨的工艺,或许才是台积电在2024年需要解决的大问题。

3nm谁领风骚?

目前,台积电为苹果代工的依旧是n3b即第一代3nm工艺,该工艺的好处是晶体管密度大幅增加,即a17 pro实现的190亿晶体管,而明年登场的n3e,在晶体管密度上表现会稍逊一筹,但功耗控制方面更加理想,包括苹果在内的的多家厂商都有意采用这项工艺,如果届时台积电能大幅提升良率,相信上门的fabless厂商依旧会络绎不绝。

但三星早已拿着gaa的3nm虎视眈眈,一旦台积电犯下错误,原本属于它的订单就有可能流向老对手,而这样的局面早在16nm和7nm时就上演过,如今3nm悬而未决,未尝没有再发生一次的可能性。

3nm,是台积电亟需跨过的一道小坎。

参考文献

1.tsmc’s 3-nm process under scrutiny due to iphone 15 pro overheating issues——businesskorea

2. iphone15 pro的a17 pro芯片照片,与a15/a16配置对比——iphone-mania

3. 跟三星不同調!台積電3奈米架構沿用finfet,首席科學家黃漢森揭背後決策——bnext

本文来源: (id:icbank),原文标题:《3nm,台积电的一道小坎》

 

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来源: wallstreetcn.com/articles/3698946
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